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1.可部份吸附面積，不需遮蓋即可吸附物件。
2.取代原真空平台使用，替換性容易。
3.高精度加工處理，平面度佳。
4.高密度多孔性陶瓷層，吸附力分佈平均。
5.不會造成薄膜材料表面凹陷現象。
6.絕緣性高，防止工件夾帶靜電。
1.切割機 : 切割矽晶片和切割半導體封裝襯底的設備。
2.磨床 : 矽晶片的薄平面化研磨的設備。
3.拋光機 : 矽晶片鏡面拋光設備。
4.膠帶貼片機:用於在框架上安裝矽晶片的設備。
結構設計選用:
| 項目 | 規格 |
| 尺寸選用 | Φ4”~ 12” |
| 陶瓷孔徑 | 2μm〜40μm |
| 孔隙率 | 40%〜60% |
| 平面度 | <5μm |
| 外觀色澤 | 黑色/黑灰色 |
